教育和工作经历

工作经历

• 1998-2000美国罗门哈斯公司，高级研究员

• 2001-2014美国英特尔公司，高级主任工程师

• 2014-2015東京応化工業株式会社美国分公司，院士

• 2015至今复旦大学，教授

教育经历

• 1984-1988中山大学

• 1990-1992京都大学

• 1992-1995东京工业大学

• 1996-1996美国阿克伦大学

• 1997-1998加利福尼亚大学伯克利分校

研究领域

• 下一代3nm节点先进半导体芯片制造用的光刻胶和光刻工艺的研发

• 先进半导体芯片制造用的高端光刻胶、光刻材料和相关工艺集成的研究（微电子方向）

a. 90 nm～5 nm节点高端半导体光刻材料的研发；

b. 探索Moore’s Law的材料极限，研发下一代10～5 nm分辨率的光刻材料DSA；

c. 研究DSA的图像化工艺和plasma刻蚀工艺；

d. 纳米器件的设计和加工

• 纳米材料的精密设计和合成 （材料方向）

新型纳米材料、器件的研发，序列可控聚合物及其纳米复合材料的研究

代表性论文

• GY Wu, H Deng*, High Etch Resistant Ferrocene-Containing Block Copolymers with 5 nm Patterning Capability. J. Photopolym. Sci. Tec., 2020, 33, 537.

• L Dai, H Cao, H Deng*, Highly Ordered Methacrylate Block Copolymers Containing Liquid Crystal Side Chains. J. Photopolym. Sci. Tec., 2020, 33, 541.

• Li, X. M.; Li, Z. L.; Dai, L.; Cao, H Deng*, Block Copolymers with a Fluoro-block for 5 nm DSA Patterning Application. Proc. of SPIE, 2020, 11326, 113261E

• Li, Z. L.; H Deng*, Synthesis of Fluorine-containing Polyacrylamide Block Copolymer and Their Application for Rapidly Formation of Sub-10 nm Microdomains. J. Photopolym. Sci. Tec., 2019, 32, 389-393.

• Cao, H.; Li, X. M.; Liu, Y. Y.; H Deng*, Synthesis of Liquid Crystalline Block Copolymers Self-assembled into Sub-5 nm Microdomains. J. Photopolym. Sci. Tec., 2019, 32, 413-416.

• XM Li, J Li, CX Wang, YY Liu, H Deng*. Fast self-assembly of polystyrene-b-poly(fluoromethacrylate) into sub-5 nm microdomains for nanopatterning applications. J. Mater. Chem. C, 2019, 7, 2535-2540.

• CX Wang, XM Li, H Deng*. Synthesis of a Fluoromethacrylate Hydroxystyrene Block Copolymer Capable of Rapidly Forming Sub-5 nm Domains at Low Temperatures. ACS Macro Lett. 2019, 8, 368−373

• XM Li, CX Wang, JN Zhou, ZY Yang, Y Zhang, H Deng*. Ultra-Fast Block Copolymers for Sub-5 nm Lithographic Patterning. J. Photopolym. Sci. Technol. 2018, 31, 483-486

• XM Li, JN Zhou, Y Peng, H Deng*. Ultra-Fast Directed Self-Assembly Materials for Sub-5 nm Patterning Application. SPIE Advanced Lithography, 2018.

• H Deng*, XM Li, Y Peng, JN Zhou， Fast Annealing DSA materials Designed for Sub-5 nm Resolution，Proc. of SPIE 2018, 10586, 105861E.

• XM Li, J Li, H Deng*. Synthesis and Directed Self-Assembly of Modified PS-b-PMMA for Sub-10 nm Nanolithography. J. Photopolym. Sci. Technol. 2017, 30,83-86

• J Li, XM Li, H Deng*. Design and Synthesis of Sub-10 nm DSA Materials. SPIE Advanced Lithography, 2017, 10146.

• J Li, XM Li, H Deng*. Design and Synthesis of Novel Directed Self-Assembly Block Copolymers for Sub-10 nm Lithography application. CSTIC (Semicon China). 2017,7919776.

一、美国专利

• H. Deng, X. M. Li, J. Li, 15/614, 211. “A RAPID SELF-ASSEMBLED SMALL-SIZED BLOCK POLYMER MATERIAL WITH LOW QUENCHING TEMPERATURE AND THE PREPARATION AND APPLICATION THEREOF”.

• H. Deng, C. X. Wang, Z. L. Li, X. M. Li,16/177,773 “A BLOCK COPOLYMER AND PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF”.

二、中国专利

• 邓海，李雪苗，李杰，“一种低淬火温度快速组装的小尺寸嵌段高分子材料及其制备和应用”，专利号：ZL2017 10412631.8。

• 邓海，吴光亚，“一种超高分辨率含金属嵌段共聚物光刻材料及其制备与应用”，申请号：202010499705.8。

• 邓海，李雪苗，杨振宇，“一种超高分辨率含金属嵌段共聚物及其制备方法与应用：，申请号：202010058407.5

• 邓海，曹惠，刘玉云，戴乐，“一种含液晶单元的定向自组装嵌段共聚物及其合成与应用方法”，申请号：201811645070.7。

• 邓海，李雪苗，杨振宇，“一种高刻蚀对比度的嵌段共聚物及其制备和应用”，申请号：201811168748.7。

• 邓海，李雪苗，“一种高 χ 值嵌段聚合物的导向自组装方法”，申请号：201811013286.1。

• 邓海，李雪苗，“一类高度有序的嵌段高分子材料及其制备和应用”，申请号：201810943217.4。

• 邓海，王晨旭，李志龙，“一种超高分辨率含氟含氧嵌段共聚物及其制备方法与应用”，申请号：201810863466.2。

• 邓海，杨振宇，“一种感光性聚合物及其制备方法和用途”，申请号：201810558655.9。

• 邓海，胡海斌，张妍，杨振宇，“丙烯酸酯二级单体及以其聚合所得共聚物”，申请号：201711364464.0。

• 邓海，李雪苗，李杰，“一种高度有序的含氟高分子材料”，申请号：201710758647.4。

• 邓海，彭彧 ，“一种光产酸剂及其制备方法和应用”，申请号：201611122773.2。